SiO2/SiC interface of p-type 4H-SiC oxidized in mixed oxygen and nitrogen atmospheres DOI
Siqi Zhao, Yunkai Li, Moyu Wei

и другие.

Materials Science and Engineering B, Год журнала: 2025, Номер 317, С. 118233 - 118233

Опубликована: Март 20, 2025

Язык: Английский

SiO2/SiC interface of p-type 4H-SiC oxidized in mixed oxygen and nitrogen atmospheres DOI
Siqi Zhao, Yunkai Li, Moyu Wei

и другие.

Materials Science and Engineering B, Год журнала: 2025, Номер 317, С. 118233 - 118233

Опубликована: Март 20, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0