Annealing and radiation effects on electrical properties of ALD-grown Al2O3 MOSCAPs: insights from C–V and G–V measurements DOI Creative Commons
Ramazan Lök

Journal of Materials Science Materials in Electronics, Год журнала: 2025, Номер 36(15)

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

Annealing and radiation effects on electrical properties of ALD-grown Al2O3 MOSCAPs: insights from C–V and G–V measurements DOI Creative Commons
Ramazan Lök

Journal of Materials Science Materials in Electronics, Год журнала: 2025, Номер 36(15)

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0