g-ZnO/HfGe2N4 heterojunction: A novel semiconductor for efficient photocatalysis and optoelectronic detector applications DOI
Yang Shen, Xiaoyu Zhao, Zhen Cui

и другие.

Solar Energy, Год журнала: 2025, Номер 297, С. 113641 - 113641

Опубликована: Май 29, 2025

Язык: Английский

Study on the Photoelectric properties of Series Heterojunctions Based on g-GaN DOI
Xiang Qi, Enling Li, Yang Shen

и другие.

Chinese Journal of Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown

Опубликована: Март 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

2
Advanced surface engineering of TZO nanostructures via irradiation technique for enhanced nitric oxide (NO) gas sensitivity DOI
G. Yergaliuly,

Abylay Tangirbergen,

Almаgul Mentbayeva

и другие.

Applied Surface Science Advances, Год журнала: 2025, Номер 27, С. 100736 - 100736

Опубликована: Март 24, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1
Theoretical Insights into the Multifunctionality of Zno/Zrsn2n4 Heterojunctions: From Photocatalysis to Photodetection DOI
Yang Shen, Xiaoyu Zhao, Zhen Cui

и другие.

Опубликована: Янв. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
g-ZnO/HfGe2N4 heterojunction: A novel semiconductor for efficient photocatalysis and optoelectronic detector applications DOI
Yang Shen, Xiaoyu Zhao, Zhen Cui

и другие.

Solar Energy, Год журнала: 2025, Номер 297, С. 113641 - 113641

Опубликована: Май 29, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0