Leaky 2T Dynamic Random-Access Memory Devices Based on Nanometer-Thick Indium–Gallium−Zinc-Oxide Films for Reservoir Computing DOI
Junwon Jang, Seong‐Min Kim, Suyong Park

и другие.

ACS Applied Nano Materials, Год журнала: 2024, Номер unknown

Опубликована: Окт. 1, 2024

Язык: Английский

Cognitive Learning and Neuromorphic Systems Using Resistive Switching Random-Access Memory DOI

Minseo Noh,

Hyogeun Park,

Sungjun Kim

и другие.

ACS Applied Electronic Materials, Год журнала: 2025, Номер unknown

Опубликована: Март 8, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
HfAlOx-based optical ferroelectric memristor with transparent electrode for RGB color image classification via physical reservoir DOI
Woo-Hyun Park,

Gimun Kim,

Hyun Uk Chae

и другие.

Nano Energy, Год журнала: 2025, Номер 142, С. 111190 - 111190

Опубликована: Май 28, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
Optimizing short-term memory in transparent neuromorphic devices via microwave treatment: Enhancing transmittance and relaxation time DOI
Yuseong Jang, Doowon Lee, Myoungsu Chae

и другие.

Journal of Alloys and Compounds, Год журнала: 2024, Номер 1010, С. 178036 - 178036

Опубликована: Дек. 10, 2024

Язык: Английский

Процитировано

0
Leaky 2T Dynamic Random-Access Memory Devices Based on Nanometer-Thick Indium–Gallium−Zinc-Oxide Films for Reservoir Computing DOI
Junwon Jang, Seong‐Min Kim, Suyong Park

и другие.

ACS Applied Nano Materials, Год журнала: 2024, Номер unknown

Опубликована: Окт. 1, 2024

Язык: Английский

Процитировано

0