Chemical Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 112758 - 112758
Опубликована: Май 1, 2025
Язык: Английский
Chemical Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 112758 - 112758
Опубликована: Май 1, 2025
Язык: Английский
Journal of Alloys and Compounds, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 179127 - 179127
Опубликована: Фев. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
21Solid State Communications, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 115884 - 115884
Опубликована: Фев. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
11Physical Chemistry Chemical Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown
Опубликована: Янв. 1, 2025
GaN/Sc 2 CCl heterojunction carrier mobility reaches up to 5670 cm V −1 s and photocurrent 12.78 a 0 per photon.
Язык: Английский
Процитировано
7Diamond and Related Materials, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 111965 - 111965
Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
5Surfaces and Interfaces, Год журнала: 2025, Номер 58, С. 105783 - 105783
Опубликована: Янв. 9, 2025
Язык: Английский
Процитировано
3Colloids and Surfaces A Physicochemical and Engineering Aspects, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 135563 - 135563
Опубликована: Окт. 1, 2024
Язык: Английский
Процитировано
16Chinese Journal of Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown
Опубликована: Март 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
2Applied Surface Science, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 162428 - 162428
Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
1International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 111, С. 95 - 104
Опубликована: Фев. 25, 2025
Язык: Английский
Процитировано
1ACS Applied Materials & Interfaces, Год журнала: 2024, Номер 16(43), С. 58802 - 58810
Опубликована: Окт. 21, 2024
Two-dimensional van der Waals heterojunctions represent a promising avenue for spectrum of optoelectronic endeavors. Nonetheless, their deployment has been somewhat constrained by the suboptimal efficiency photocurrent generated. In this article, ZnO/HfSn2N4 heterojunction is proposed to achieve high photoresponse efficiency. First-principles calculations are utilized confirm that possesses thermal stability with direct bandgap (1.36 eV). It exhibits light absorption coefficient and carrier mobility (2.51 × 103 cm2 V-1 s-1), biaxial strain significant effect on modulation band structure. As tensile increases, changes nonlinearly, transitioning from type-II type-I heterojunction. When compressive decreases. Quantum transport simulations employed calculate density states transmission model, verifying its excellent (a peak reaching 4.93 a02/photon an extinction ratio 75.1). shows potentially efficient photodetector.
Язык: Английский
Процитировано
4