Journal of Electroanalytical Chemistry, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 118848 - 118848
Опубликована: Дек. 1, 2024
Язык: Английский
Journal of Electroanalytical Chemistry, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 118848 - 118848
Опубликована: Дек. 1, 2024
Язык: Английский
Nanoscale Advances, Год журнала: 2024, Номер unknown
Опубликована: Ноя. 27, 2024
The mechanical, thermal and dynamical stabilities, electronic structure, contact type, height of the barrier at interface TaX 2 (X = S, Se, Te) BY (Y P, As, Sb) metal–semiconductor (MS) are investigated .
Язык: Английский
Процитировано
0Journal of Electroanalytical Chemistry, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 118848 - 118848
Опубликована: Дек. 1, 2024
Язык: Английский
Процитировано
0