Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Journal of the European Ceramic Society, Год журнала: 2024, Номер 44(7), С. 4772 - 4781
Опубликована: Фев. 2, 2024
Язык: Английский
Процитировано
8Materials Horizons, Год журнала: 2024, Номер 11(10), С. 2323 - 2354
Опубликована: Янв. 1, 2024
This review summarizes the recent progress in design of high-entropy thermoelectric materials, including alloys and ceramics, emphasises entropy-driven effect these materials.
Язык: Английский
Процитировано
7Energy Advances, Год журнала: 2024, Номер 3(4), С. 765 - 773
Опубликована: Янв. 1, 2024
Nanocrystalline high-entropy CoNiFeCrMnO x thin films were prepared by dip-coating and annealing at 400 °C, showing stable oxygen evolution with overpotentials of 258 mV vs. RHE 10 mA cm −2 over hours in alkaline media.
Язык: Английский
Процитировано
6Ceramics International, Год журнала: 2024, Номер 50(10), С. 16884 - 16889
Опубликована: Фев. 14, 2024
Язык: Английский
Процитировано
5Energy & Environmental Science, Год журнала: 2024, Номер 17(10), С. 3580 - 3593
Опубликована: Янв. 1, 2024
By doping high-entropy materials into PDMS as an intermediate layer, HP-DEG achieve high voltage output performance and excellent applications.
Язык: Английский
Процитировано
5Optical Materials, Год журнала: 2024, Номер 157, С. 116056 - 116056
Опубликована: Сен. 3, 2024
Язык: Английский
Процитировано
5Ceramics International, Год журнала: 2024, Номер 50(9), С. 16412 - 16424
Опубликована: Фев. 10, 2024
Язык: Английский
Процитировано
4Ceramics International, Год журнала: 2024, Номер 50(13), С. 22748 - 22756
Опубликована: Март 31, 2024
Язык: Английский
Процитировано
4Journal of Materials Research and Technology, Год журнала: 2025, Номер unknown
Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
0ACS Applied Electronic Materials, Год журнала: 2025, Номер unknown
Опубликована: Янв. 8, 2025
This study investigates the design of an electronic structure in a defect-engineered (MgCoNiCuZn)O high-entropy oxide (HEO), demonstrating distinct frequency-dependent dielectric behavior enabled by complex microstructure. Detailed structural analysis reveals phase transformation from multiphase mixture at lower calcination temperatures to stable, single-phase rock-salt 1000 °C. Scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) mapping show unique elemental domain segregation, with p-type (Cu, Ni, Co) n-type (Zn, Mg) semiconductor domains forming multiple internal interfaces. These interfaces facilitate two key polarization mechanisms: (1) interfacial (Maxwell–Wagner–Sillars) within grains, driven charge accumulation boundaries, (2) space across grain boundaries. Dielectric measurements reveal strong frequency dependence, high properties low frequencies suitable for charging applications reduced values frequencies, beneficial discharging processes such as regenerative braking electric vehicles. work demonstrates potential HEOs tailor advanced applications, including tunable radio (RF) devices, wireless communication, adaptive energy storage systems, vehicle technologies.
Язык: Английский
Процитировано
0