Crystal growth principle, method, properties of silicon carbide and its new process prepared from silicon cutting waste DOI Creative Commons

Siheng Zhang,

Yongsheng Ren, Xiao‐Juan Yang

и другие.

Journal of Materials Research and Technology, Год журнала: 2024, Номер unknown

Опубликована: Дек. 1, 2024

Язык: Английский

Crystal growth principle, method, properties of silicon carbide and its new process prepared from silicon cutting waste DOI Creative Commons

Siheng Zhang,

Yongsheng Ren, Xiao‐Juan Yang

и другие.

Journal of Materials Research and Technology, Год журнала: 2024, Номер unknown

Опубликована: Дек. 1, 2024

Язык: Английский

Процитировано

0