SGOI Wafers with High Structural and Electrical Quality Fabricated through Ge Condensation in SiGe/SOI DOI
Mansour Aouassa, A. Ádám, Ismail Madaci

и другие.

Vacuum, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 114410 - 114410

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

SiGe Mie resonators grown on photoactive silicon nanodisks for high-performance photodetection DOI
Mansour Aouassa, Mohammed Bouabdellaoui,

Walter Batista Pessoa

и другие.

Journal of Materials Science Materials in Electronics, Год журнала: 2025, Номер 36(6)

Опубликована: Фев. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

3
RGO-Si QDs Hybrid Photodetector with Enhanced Photosensitivity DOI

Dalila Khlaifia,

Mansour Aouassa, L. Torrisi

и другие.

Physica B Condensed Matter, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 417133 - 417133

Опубликована: Март 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

2
High Photosensitive Amorphous Germanium-Based MIS Photodetector DOI

Mohammed Ibrahim,

Mansour Aouassa, N.K. Hassan

и другие.

Physica B Condensed Matter, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 417229 - 417229

Опубликована: Апрель 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1
Frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of Al/p-Si semiconductor structures with GO interlayer DOI
Niyazi Berk, Ahmet Turan, Şükrü Karataş

и другие.

Physica B Condensed Matter, Год журнала: 2025, Номер 711, С. 417301 - 417301

Опубликована: Апрель 23, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
Sulfur-doped lithium phosphate glasses ceramics: a detailed exploration of sulfur on the structural, optical, and electrical properties DOI Creative Commons
Reda Khalil, Talaat A. Hameed,

Fathy Salman

и другие.

Journal of Materials Science Materials in Electronics, Год журнала: 2025, Номер 36(13)

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
Dielectric properties and polarization mechanisms of the DLC-interlayered Schottky structures under low-moderate and high-temperatures DOI

Rengin Beruj Bozkurt,

Esra Evcin Baydilli, Ahmet Kaymaz

и другие.

Materials Science and Engineering B, Год журнала: 2025, Номер 320, С. 118406 - 118406

Опубликована: Май 10, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
Electrical Properties of Fully Depleted Silicon-on-Insulator Wafers DOI

A.K. Aladim

Microelectronics Journal, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 106731 - 106731

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0
SGOI Wafers with High Structural and Electrical Quality Fabricated through Ge Condensation in SiGe/SOI DOI
Mansour Aouassa, A. Ádám, Ismail Madaci

и другие.

Vacuum, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 114410 - 114410

Опубликована: Май 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0