Langmuir, Год журнала: 2024, Номер 40(46), С. 24740 - 24749
Опубликована: Ноя. 6, 2024
Recently, due to the promising application of metal oxide semiconductors in high-performance methane (CH
Язык: Английский
Langmuir, Год журнала: 2024, Номер 40(46), С. 24740 - 24749
Опубликована: Ноя. 6, 2024
Recently, due to the promising application of metal oxide semiconductors in high-performance methane (CH
Язык: Английский
Materials Science and Engineering B, Год журнала: 2024, Номер 311, С. 117784 - 117784
Опубликована: Ноя. 1, 2024
Язык: Английский
Процитировано
2Sensors and Actuators B Chemical, Год журнала: 2024, Номер 426, С. 137110 - 137110
Опубликована: Дек. 10, 2024
Язык: Английский
Процитировано
1Colloids and Surfaces A Physicochemical and Engineering Aspects, Год журнала: 2024, Номер 707, С. 135864 - 135864
Опубликована: Дек. 11, 2024
Язык: Английский
Процитировано
1Sensors and Actuators Reports, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 100246 - 100246
Опубликована: Сен. 1, 2024
Язык: Английский
Процитировано
1Langmuir, Год журнала: 2024, Номер 40(46), С. 24740 - 24749
Опубликована: Ноя. 6, 2024
Recently, due to the promising application of metal oxide semiconductors in high-performance methane (CH
Язык: Английский
Процитировано
1