Surfaces and Interfaces, Год журнала: 2024, Номер 55, С. 105386 - 105386
Опубликована: Ноя. 2, 2024
Язык: Английский
Surfaces and Interfaces, Год журнала: 2024, Номер 55, С. 105386 - 105386
Опубликована: Ноя. 2, 2024
Язык: Английский
Separation and Purification Technology, Год журнала: 2024, Номер 352, С. 128260 - 128260
Опубликована: Июнь 1, 2024
Язык: Английский
Процитировано
8Journal of Molecular Liquids, Год журнала: 2024, Номер 409, С. 125389 - 125389
Опубликована: Июнь 29, 2024
Язык: Английский
Процитировано
5Materials Science in Semiconductor Processing, Год журнала: 2025, Номер 192, С. 109411 - 109411
Опубликована: Фев. 24, 2025
Язык: Английский
Процитировано
0Computational Materials Science, Год журнала: 2025, Номер 253, С. 113824 - 113824
Опубликована: Март 13, 2025
Язык: Английский
Процитировано
0Journal of Molecular Modeling, Год журнала: 2024, Номер 30(4)
Опубликована: Март 28, 2024
Язык: Английский
Процитировано
3Journal of Physics D Applied Physics, Год журнала: 2024, Номер 57(27), С. 275301 - 275301
Опубликована: Апрель 4, 2024
Abstract A notable surge in research interest directed towards the exploration and development of two-dimensional materials, specifically realm advancing nano-devices, with a special focus on applications gas detection, has been observed. Among these spotlight fallen newly synthesized single-layered Dirac Semimetal, known as BeN 4 , which holds great promise potential candidate for an efficient sensor. The current investigation uses first-principles calculations to examine H 2 S detection capability pristine point-defect-tempted single-layers. molecule observed be weakly adsorbed pure through weak van der Waals interaction exhibiting very low adsorption energy −0.0726 eV insignificant charge transport. impact Be vacancy point defect was −0.582 eV, manifested by enhanced transmission (0.02 e) from defects. reasonable physical steadiness modest recovery time (6 ms) at ambient conditions indicate possibility point-defected being contender sensor material designing developing robust In addition, exhibited selective response molecules. Our findings will provide reference line fabrication innovative detectors, showcasing practical implications enhancements structures.
Язык: Английский
Процитировано
3Materials Science in Semiconductor Processing, Год журнала: 2024, Номер 179, С. 108492 - 108492
Опубликована: Май 14, 2024
Язык: Английский
Процитировано
3Journal of Molecular Modeling, Год журнала: 2024, Номер 30(8)
Опубликована: Июль 8, 2024
Язык: Английский
Процитировано
3Sensors and Actuators A Physical, Год журнала: 2024, Номер 378, С. 115846 - 115846
Опубликована: Сен. 3, 2024
Язык: Английский
Процитировано
3Surfaces and Interfaces, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 105852 - 105852
Опубликована: Янв. 1, 2025
Язык: Английский
Процитировано
0