Materials Science in Semiconductor Processing, Год журнала: 2024, Номер 186, С. 109044 - 109044
Опубликована: Окт. 30, 2024
Язык: Английский
Materials Science in Semiconductor Processing, Год журнала: 2024, Номер 186, С. 109044 - 109044
Опубликована: Окт. 30, 2024
Язык: Английский
Ceramics International, Год журнала: 2024, Номер 50(20), С. 39739 - 39747
Опубликована: Июль 25, 2024
Язык: Английский
Процитировано
25Journal of Physics and Chemistry of Solids, Год журнала: 2024, Номер 192, С. 112098 - 112098
Опубликована: Май 11, 2024
Язык: Английский
Процитировано
23International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 105, С. 759 - 770
Опубликована: Янв. 27, 2025
Язык: Английский
Процитировано
5International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 101, С. 1448 - 1459
Опубликована: Янв. 8, 2025
Язык: Английский
Процитировано
3Journal of Energy Storage, Год журнала: 2025, Номер 112, С. 115492 - 115492
Опубликована: Янв. 24, 2025
Язык: Английский
Процитировано
3International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 102, С. 1329 - 1339
Опубликована: Янв. 17, 2025
Язык: Английский
Процитировано
2International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 106, С. 921 - 934
Опубликована: Фев. 8, 2025
Язык: Английский
Процитировано
2International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2025, Номер 116, С. 462 - 472
Опубликована: Март 13, 2025
Язык: Английский
Процитировано
2Physica Scripta, Год журнала: 2024, Номер 99(6), С. 0659c8 - 0659c8
Опубликована: Май 22, 2024
Abstract The present study examines the key characteristics of new vacancy-ordered halide double perovskites, RbKGeCl 6 and RbKGeBr , encompassing elastic, structural, mechanical, optoelectronic, thermoelectric properties. Density Functional Theory (DFT) was employed to perform calculation properties, facilitating evaluation their potential applications in optoelectronic devices. DFT conducted using Quantum Espresso package alongside thermo_pw tool BoltzTraP codes. results revealed that two proposed compounds possess both chemical mechanical stability with optimized lattice constants recorded at 10.14 Å 10.72 for respectively. elastic properties materials suggested reasonably high moduli materials. Based on calculated electronic are classified as direct gap semiconductors, energy values 2.11 eV 0.80 GGA-PBE functional. Furthermore, use SCAN approximation yields more reliable 2.51 1.08 respective compounds. exhibited a absorption coefficient significantly low reflectivity within visible-ultraviolet spectrum. These findings strongly suggest promising under applications. materials, particularly figure merit, materials’ merit were found range from 0.73 0.75, respectively, between 300 K 800 K. Despite being lower, these comparable those some well-established including SiGe alloys (0.95), Bi 2 Te 3 (≈0.90), PbTe (≈0.80).
Язык: Английский
Процитировано
10Computational Condensed Matter, Год журнала: 2024, Номер 40, С. e00928 - e00928
Опубликована: Июнь 18, 2024
Язык: Английский
Процитировано
9