Influence of the electric field on the electronic structure of flat hexagonal two-dimensional GaN bilayers DOI

R.A. Reyna-Lara,

J.D. Correa, K.A. Rodríguez-Magdaleno

и другие.

Materials Today Communications, Год журнала: 2024, Номер 41, С. 110356 - 110356

Опубликована: Сен. 7, 2024

Язык: Английский

MoSSe/Si9C15 heterojunction photodetectors with ultrahigh photocurrent and carrier mobility DOI
Zhen Cui,

Haotian Meng,

Chunli Zhang

и другие.

Materials Science in Semiconductor Processing, Год журнала: 2024, Номер 182, С. 108705 - 108705

Опубликована: Июль 15, 2024

Язык: Английский

Процитировано

36
A two-dimensional AlN/Zr2CO2 heterojunction with favorable photocurrent and carrier mobility DOI
Xin Gao, Zhen Cui, Pengfei Wu

и другие.

Journal of Alloys and Compounds, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 179127 - 179127

Опубликована: Фев. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

13
Ultra-wideband and multi-frequency switchable terahertz absorber based on vanadium dioxide DOI
Nan Liu, Zhen Cui, Shuang Zhang

и другие.

Solid State Communications, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 115884 - 115884

Опубликована: Фев. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

6
GaN/HfGe2N4 Heterojunction with Promising Project for Photocatalyst and Photodetector Applications DOI
Xiang Qi, Enling Li, Yang Shen

и другие.

Surfaces and Interfaces, Год журнала: 2025, Номер 58, С. 105783 - 105783

Опубликована: Янв. 9, 2025

Язык: Английский

Процитировано

3
Self-powered photodetector of GaN/Sc2CCl2 heterojunction with high carrier mobility and polarization sensitivity DOI
Guoqing Zhang, Zhen Cui, Aiqin Song

и другие.

Physical Chemistry Chemical Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown

Опубликована: Янв. 1, 2025

GaN/Sc 2 CCl heterojunction carrier mobility reaches up to 5670 cm V −1 s and photocurrent 12.78 a 0 per photon.

Язык: Английский

Процитировано

3
Ammonia gas sensors based on multi-wall carbon nanofiber field effect transistors by using gate modulation DOI Creative Commons
Mostafa Shooshtari

Colloids and Surfaces A Physicochemical and Engineering Aspects, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 135563 - 135563

Опубликована: Окт. 1, 2024

Язык: Английский

Процитировано

15
Localized surface plasmon enhanced the photoresponse performance of Ga2O3 ultraviolet photodetectors DOI
Shuang Zhang, Guoqing Zhang, Hui Wu

и другие.

Micro and Nanostructures, Год журнала: 2024, Номер unknown, С. 208063 - 208063

Опубликована: Дек. 1, 2024

Язык: Английский

Процитировано

13
Two-dimensional GaN of wurtzite、hexagonal and haeckelite (4|8) structure with multiple layers: A first principle DFT study on structural and optoelectronic properties DOI
Yuting Dai, Sihao Xia, Hongkai Shi

и другие.

Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 116193 - 116193

Опубликована: Янв. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1
SiC/PtSe2 van der Waals heterostructure: A high-efficiency direct Z-scheme photocatalyst for overall water splitting predicted from first-principles study DOI

Jiahui Li,

Yan Zhang,

Shu-Zhuan Sun

и другие.

Micro and Nanostructures, Год журнала: 2024, Номер 195, С. 207953 - 207953

Опубликована: Авг. 12, 2024

Язык: Английский

Процитировано

8
Modulation of electronic and optical properties of g-CN/XTe2(X=W, Mo) heterojunctions by biaxial strain DOI
Yang Shen, Pei Yuan, Zhihao Yuan

и другие.

International Journal of Hydrogen Energy, Год журнала: 2024, Номер 80, С. 289 - 297

Опубликована: Июль 16, 2024

Язык: Английский

Процитировано

6