Optimizing interfacial thermal resistance in GaN/AlN heterostructures: The impact of AlN layer thickness DOI

Juan Xue,

Fengyi Li, Aoran Fan

и другие.

International Journal of Heat and Mass Transfer, Год журнала: 2024, Номер 239, С. 126629 - 126629

Опубликована: Дек. 27, 2024

Язык: Английский

Rutile germanium dioxide: An emerging ultrawide bandgap semiconductor for power device applications – A review DOI

Madani Labed,

Ho Jung Jeon,

J. Park

и другие.

Materials Today, Год журнала: 2025, Номер unknown

Опубликована: Янв. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1

Decoupling thermal properties in multilayered systems for advanced thermoreflectance experiments DOI

Tao Chen,

Puqing Jiang

Physical Review Applied, Год журнала: 2025, Номер 23(4)

Опубликована: Апрель 2, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1

Advancing Thermal Management Technology for Power Semiconductors through Materials and Interface Engineering DOI Creative Commons
Man Li,

Suixuan Li,

Zhihan Zhang

и другие.

Accounts of Materials Research, Год журнала: 2025, Номер unknown

Опубликована: Апрель 8, 2025

Язык: Английский

Процитировано

1

Thermal management of through-silicon vias and back-end-of-line layers in 3D ICs: A comprehensive review DOI
Hengyou Zhang, Miao Tian, Xiaokun Gu

и другие.

Microelectronic Engineering, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 112325 - 112325

Опубликована: Фев. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0

Effectively Tuning Phonon Transport across Al/nonmetal Interfaces through Controlling Interfacial Bonding Strength without Modifying Thermal Conductivity DOI
Weidong Zheng,

Zhuo Miao,

Xue Zhou

и другие.

Materials Today Physics, Год журнала: 2025, Номер unknown, С. 101676 - 101676

Опубликована: Фев. 1, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0

A review in thermal management for advanced chip packaging from chip to heat sink DOI
Min Soo Kim, Jaehyun Kim, Woosung Park

и другие.

Microelectronics Reliability, Год журнала: 2025, Номер 170, С. 115782 - 115782

Опубликована: Май 12, 2025

Язык: Английский

Процитировано

0

Optimizing interfacial thermal resistance in GaN/AlN heterostructures: The impact of AlN layer thickness DOI

Juan Xue,

Fengyi Li, Aoran Fan

и другие.

International Journal of Heat and Mass Transfer, Год журнала: 2024, Номер 239, С. 126629 - 126629

Опубликована: Дек. 27, 2024

Язык: Английский

Процитировано

0