Перспективні нанорозмірні сегнетоелектрики, сумісні з напівпровідниковими технологіями DOI Open Access
Eugene A. Eliseev

Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni, Journal Year: 2025, Volume and Issue: 3, P. 80 - 89

Published: March 18, 2025

У доповіді обговорено результати фундаментальних і прикладних досліджень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, зі створення й технологічного освоєння сегнетоелектричних наноматеріалів на основі простих оксидів нітридів, зокрема плівок, частинок, а також їх композитів з полімерними матеріалами. Завдяки цим роботам започатковано новий напрям наукових досліджень «кремнійсумісні наносегнетоелектрики» запропоновано нову групу наноматеріалів, які здатні задовольнити потреби сучасної індустрії виробництва напівпровідникових приладів. Як цитувати: Єлісєєв Є.А. Перспективні нанорозмірні сегнетоелектрики, сумісні напівпровідниковими технологіями (стенограма засіданні Президії України 22 січня 2025 р.). Вісник України. 2025. № 3. С. 80—89. https://doi.org/10.15407/visn2025.03.080

Ferro-ionic states and domains morphology in HfxZr1−xO2 nanoparticles DOI
Eugene A. Eliseev, Sergei V. Kalinin, Anna N. Morozovska

et al.

Journal of Applied Physics, Journal Year: 2025, Volume and Issue: 137(3)

Published: Jan. 15, 2025

Unique polar properties of nanoscale hafnia-zirconia oxides (HfxZr1−xO2) are great interest for condensed matter physics, nanophysics, and advanced applications. These connected (at least partially) to the ionic–electronic electrochemical phenomena at surface, interfaces, and/or internal grain boundaries. Here, we calculated phase diagrams, dielectric permittivity, spontaneous polar, antipolar ordering, as well domain structure morphology in HfxZr1−xO2 nanoparticles covered by charge originating from surface adsorption. We revealed that ferro-ionic coupling supports long-range order HfxZr1−xO2, induces, enlarges stability region labyrinthine domains toward smaller sizes environmental constant low concentrations ions. The causes transition single-domain state high predict states, being multiple-degenerated, may significantly affect emergence negative differential capacitance nanograined/nanocrystalline films.

Language: Английский

Citations

1

Перспективні нанорозмірні сегнетоелектрики, сумісні з напівпровідниковими технологіями DOI Open Access
Eugene A. Eliseev

Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni, Journal Year: 2025, Volume and Issue: 3, P. 80 - 89

Published: March 18, 2025

У доповіді обговорено результати фундаментальних і прикладних досліджень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, зі створення й технологічного освоєння сегнетоелектричних наноматеріалів на основі простих оксидів нітридів, зокрема плівок, частинок, а також їх композитів з полімерними матеріалами. Завдяки цим роботам започатковано новий напрям наукових досліджень «кремнійсумісні наносегнетоелектрики» запропоновано нову групу наноматеріалів, які здатні задовольнити потреби сучасної індустрії виробництва напівпровідникових приладів. Як цитувати: Єлісєєв Є.А. Перспективні нанорозмірні сегнетоелектрики, сумісні напівпровідниковими технологіями (стенограма засіданні Президії України 22 січня 2025 р.). Вісник України. 2025. № 3. С. 80—89. https://doi.org/10.15407/visn2025.03.080

Citations

0