Моделирование и экспериментальное исследование углового отражения черного кремния

Proceedings of NAS RA Physics, Journal Year: 2025, Volume and Issue: unknown, P. 106 - 114

Published: May 6, 2025

Представлены результаты исследования углового отражения слоев черного кремния (b-Si), сформированных методом реактивного ионного травления. Расчеты матрицы переноса и экспериментальные измерения подтверждали превосходное антиотражающее свойство b-Si при углах падения светового излучения до 60°. Это обеспечивает стабильность тока короткого замыкания солнечных элементов в широком угловом диапазоне, что особенно важно для эффективной эксплуатации стационарных фотовольтаических станций течение дня облачной погоде. Ներկայացված են ռեակտիվ իոնային խածատմամբ ձևավորված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի անկյունային անդրադարձման հետազոտման արդյունքները։ Մատրիցային փոխանցման մեթոդով իրականացված հաշվարկները և փորձարարական չափումները հաստատում b-Si-ի գերազանց հակաանդրադարձման հատկությունը լուսային ճառագայթների մինչև 60° անկման անկյունների դեպքում։ Դա ապահովում է արևային էլեմենտների կարճ միացման հոսանքի կայունությունը լայն տիրույթում, ինչը հատկապես կարևոր ցերեկային ամպամած եղանակին անշարժ ֆոտովոլտային կայանների արդյունավետ շահագործման համար: The study presents the results of angular reflection analysis black silicon layers formed through reactive ion etching. Calculations using transfer matrix method and experimental measurements confirm excellent antireflective properties at light incidence angles up to This ensures stability short-circuit current in solar cells across a wide range, which is particularly important for efficient operation stationary photovoltaic stations during daytime under cloudy conditions.

Language: Русский

Low temperature processing of hole transport layer-free CsPbI2Br solar cells assisted by SAM co-deposition

Applied Physics Letters, Journal Year: 2024, Volume and Issue: 125(24)

Published: Dec. 9, 2024

The development of inverted all-inorganic perovskite solar cells (PSCs) is limited by the high processing temperature and poor film coverage self-assembled molecule (SAM) hole transport layer (HTL). In this work, hot-air-assisted annealing method was utilized to prepare CsPbI2Br films at low in an ambient environment. SAM called 2–(3,6-dimethoxycarbazol-9-yl) ethyl phosphonic acid (MeO-2PACz) added into precursor spontaneously form MeO-2PACz dipole light absorber. with abundant phosphate groups modulated uncoordinated lead perovskite's grain boundaries via forming –P–O–Pb –P=O–Pb bonds, which improves crystallinity reduces trap density film. Furthermore, formed on ITO substrate during enhanced efficiency reduced non-radiative recombination loss ITO/CsPbI2Br interface. As a result, p-i-n HTL-free inorganic PSCs additive achieved power conversion 12.92%, significantly higher than reference (6.55%). This work provides easy efficient way environment additive.

Language: Английский